SiC субстрат
Description
Кремний карбиди (SiC) IV-IV группадагы бинардык кошулма, мезгилдик системанын IV тобуна кирген жалгыз туруктуу катуу кошулма, маанилүү жарым өткөргүч.SiC мыкты жылуулук, механикалык, химиялык жана электрдик касиеттерге ээ, бул аны жогорку температурадагы, жогорку жыштыктагы жана кубаттуу электрондук шаймандарды жасоо үчүн эң мыкты материалдардын бири болуп саналат, SiC да субстрат материалы катары колдонулушу мүмкүн. GaN негизиндеги көк жарык берүүчү диоддор үчүн.Азыркы учурда, 4H-SiC рынокто негизги азыктары болуп саналат, жана өткөргүчтүк түрү жарым-изоляциялык түрү жана N түрүнө бөлүнөт.
Properties
| пункт | 2 дюйм 4H N-түрү | ||
| Диаметри | 2 дюйм (50,8 мм) | ||
| Калыңдыгы | 350+/-25um | ||
| Багыттоо | өчүрүү огу 4,0˚ <1120> ± 0,5˚ тарапка | ||
| Негизги жалпак багыт | <1-100> ± 5° | ||
| Экинчи батир Багыттоо | Негизги батирден 90,0˚ CW ± 5,0˚, Si жүзү жогору | ||
| Негизги жалпак узундук | 16 ± 2,0 | ||
| Экинчилик жалпак узундук | 8 ± 2,0 | ||
| Баа | Өндүрүш деңгээли (P) | Изилдөө деңгээли (R) | Жалаң класс (D) |
| Салыштырмалуу каршылык | 0,015~0,028 Ω·см | < 0,1 Ω·см | < 0,1 Ω·см |
| Микропродукттун тыгыздыгы | ≤ 1 микротруба/см² | ≤ 1 0микропродукт/см² | ≤ 30 микротруба/см² |
| Беттик тегиздик | Si бети CMP Ra <0.5nm, C Face Ra <1 нм | Жок, колдонууга жарактуу аянты > 75% | |
| TTV | < 8 мм | < 10um | < 15 um |
| Жаа | < ±8 um | < ±10um | < ±15um |
| Warp | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Жаракалар | Жок | Жыйынтык узундугу ≤ 3 мм | Жыйынтык узундугу ≤10мм, |
| сызыктар | ≤ 3 чийик, топтолгон | ≤ 5 чийик, топтолгон | ≤ 10 чийик, топтолгон |
| Hex Plates | максималдуу 6 табак, | максималдуу 12 табак, | Жок, колдонууга жарактуу аянты > 75% |
| Политиптик аймактар | Жок | Кумулятивдик аянт ≤ 5% | Кумулятивдик аянт ≤ 10% |
| Контаминация | Жок | ||
