Ге субстрат
Description
Ge монокристалл инфракызыл жана IC өнөр жайы үчүн мыкты жарым өткөргүч болуп саналат.
Properties
| Өсүү ыкмасы | Чохральский ыкмасы | ||
| Кристалл структурасы | M3 | ||
| Бирдик клетка константасы | a=5,65754 А | ||
| Тыгыздыгы（г/см3) | 5.323 | ||
| Эрүү чекити （℃） | 937.4 | ||
| Допингдик материал | Допинг жок | Sb-допинг | In / Ga – допинг |
| Type | / | N | P |
| Салыштырмалуу каршылык | ＞35Ωсм | 0,05Ωсм | 0,05~0,1Ωсм |
| EPD | ＜4×103∕см2 | ＜4×103∕см2 | ＜4×103∕см2 |
| Өлчөмү | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
| dia2” x 0,33 мм dia2” x 0,43 мм 15 x 15 мм | |||
| Калыңдыгы | 0,5 мм, 1,0 мм | ||
| Жылмалоо | Жалгыз же кош | ||
| Crystal Orientation | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
Ge субстрат аныктамасы
Ge субстраты германий элементинен (Ge) жасалган субстрат билдирет.Германий – уникалдуу электрондук касиеттери бар жарым өткөргүч материал, бул аны ар кандай электрондук жана оптоэлектрондук колдонмолорго ылайыктуу кылат.
Ge субстраттары көбүнчө электрондук приборлорду өндүрүүдө, айрыкча жарым өткөргүч технологиясы тармагында колдонулат.Алар кремний (Si) сыяктуу башка жарым өткөргүчтөрдүн жука пленкаларын жана эпитаксиалдык катмарларын салуу үчүн базалык материалдар катары колдонулат.Ge субстраттары гетероструктураларды жана жогорку ылдамдыктагы транзисторлор, фотодетекторлор жана күн батареялары сыяктуу колдонмолор үчүн өзгөчө касиеттери бар татаал жарым өткөргүч катмарларды өстүрүү үчүн колдонулушу мүмкүн.
Германий фотоникада жана оптоэлектроникада да колдонулат, мында ал инфракызыл (IR) детекторлорду жана линзаларды өстүрүү үчүн субстрат катары колдонулушу мүмкүн.Ge субстраттары инфракызыл колдонмолор үчүн талап кылынган касиеттерге ээ, мисалы, орто-инфракызыл аймактагы кеңири өткөрүү диапазону жана төмөнкү температурада эң сонун механикалык касиеттер.
Ge субстраттары кремний менен тыгыз дал келген тор түзүлүшкө ээ, бул аларды Si негизиндеги электроника менен интеграциялоо үчүн шайкеш кылат.Бул шайкештик гибриддик структураларды жасоого жана алдыңкы электрондук жана фотоникалык түзүлүштөрдү иштеп чыгууга мүмкүндүк берет.
Кыскача айтканда, Ge субстраты электрондук жана оптоэлектрондук колдонмолордо колдонулган жарым өткөргүч материал болгон германийден жасалган субстрат билдирет.Ал электроника, оптоэлектроника жана фотоника тармактарында ар кандай приборлорду жасоого мүмкүндүк берүүчү башка жарым өткөргүч материалдардын өсүшү үчүн платформа болуп кызмат кылат.
